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HAROLDソフトウェアのv7.3.0リリース
HAROLD v7.3.0新機能（Photon Design社）
HAROLD QCSE モジュール:
- 「HAROLD MODULATOR モジュール」が追加され、シリコン製位相変調器のシミュレーションが可能になりました。
- 自由キャリア吸収の非線形（べき乗則）キャリア密度依存性、プラズマ分散効果による屈折率変化が組み込まれました。
- 組み込みの線形モデルを材料データに直接定義する機能が追加されました。
- バルク層にSi材料を半導体材料として追加しました。
QD（Quantum Dots）モジュール:
- QD（ 量子ドット）のキャリアの閉じ込めにSRH寿命（Shockley-Read-Hall寿命）が追加されました。
- QDを１Dシミュレーションで実行できるようになりました。
- PICWaveリンク機能でQDシミュレーションの結果をエクスポートできるようになりました。
- アンサンブル量子ドットの結果を取得できるようになりました。
- 各試料に関連する量子ドット（QD）の数／密度、
- 量子ドットの寸法
- 第一遷移エネルギー
- 電子／正孔占有率
- 電子／正孔捕獲／エスケープ時間
- 再結合率
HaroldXY:
- 電圧スキャンシミュレーションを追加しました。
- XY断面エディタのレーザー発振波長の精度が向上しました。
- 高出力レーザーの標準サンプルが追加されました。
Harold VCSEL モジュール:
- エッチングプロセスにおいて、GUI上での式の使用が可能になりました。
Harold BASE モジュール:
- 「エピタキシャル層構造エディタ」のバンドギャップに、ドーパントによるバンドギャップの収縮が反映されるようになりました。
- 「エピタキシャル層エディタ」でドーピングによるバンドギャップの狭窄（狭小化）が考慮されるようになりました。
- LI曲線からしきい値効率・勾配効率を計算するコマンドライン関数が追加されました。
- 材料/プロファイルの新たなシミュレーション結果を取得できるようになりました。
- 自由キャリア吸収(cold/hot-cavity)
- 電子/正孔のSRH寿命
- バルク放射係数
- 電子/正孔の正味QD捕獲率
- VsBiasシミュレーションの新たな結果を取得できるようになりました
- 静電容量
- 微分静電容量
- 位相シフト（HAROLD MODULATORモジュール）
- VsBiasプロットにバイアスゼロ時のデータポイントが含まれるようになりました。
- 材料ファイルの強化：
- 電子/正孔のSRH寿命を定義する機能が追加されました。
- ドーパント拡散が追加されました。